Elektricitet-Magnetism [19937] Ursprunglig fråga: Svar: En PN-övergång bildas där n-dopade och p-dopade halvledare kommer i kontakt. Termen övergång syftar på området där de olika halvledartyperna möts. Den kan betraktas som gränsområde mellan de n- och p-dopade områdena i bilden (från P-N_junction ). För att få de egenskaper man vill ha hos en pn övergång måste gränsen mellan p och n områdena vara kontiuerlig vad gäller kristallstrukturen. Man kan alltså inte sätta ihop en p-dopad och en n-dopad halvledarkristall. Länk 1 säger t.ex.:
A p/n junction is formed when two types of semiconductors, n- type (excess electrons) and p- type (excess holes), come into contact. The term p/n junction refers to the joint interface and the immediate surrounding area of the two semiconductors. If the joint is made by two separate semiconductor crystals, this is a rough interface known as a grain boundary. A grain boundary has different electrical properties than a single crystalline interface. P/N junctions are normally created in a single crystal of semiconductor by doping each side with different "dopants". 1 http://solarcellcentral.com/junction_page.html Frågelådan innehåller 7624 frågor med svar. ** Frågelådan är stängd för nya frågor tills vidare **
|
Denna sida från NRCF är licensierad under Creative Commons:
Erkännande-Ickekommersiell-Inga bearbetningar.