Svar:
För små värden på dopningen är mobiliteten i stort sett konstant, men för större dopning avtar mobiliteten.

I Wikipedia-artikeln om mobilitet finns det ett empiriskt uttryck för mobiliteten som funktion av dopningsgrad, se
Electron_mobilityDoping_concentration_dependence_in_heavily-doped_silicon.

Anledningen till den avtagande mobiliteten är helt enkelt att dopatomerna "är i vägen" för laddningsbärarna. Dessa sprids av dopatomerna så att hastigheten i fältets rikning minskar. Länk 1 uttrycker det så här:

For low doping concentrations, the mobility is almost constant and is primarily limited by phonon scattering. At higher doping concentrations, the mobility decreases due to ionized impurity scattering with the ionized doping atoms. The actual mobility also depends on the type of dopant. Figure 2.7.3 is for phosphorous and boron doped silicon.

Figuren från länk 1 visas nedan.

/Peter E 2016-12-12